Samsung inicia la producción de los módulos DRAM DDR4 de 128GB

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Samsung ha anunciado la producción en masa de los primeros módulos de memoria DDR4 de 128GB, un movimiento importante y que marca un gran avance, ya que son los de mayor capacidad de la industria con esa eficiencia.

Estos módulos utilizan la tecnología de conexión throught silicon via o TSV, que conecta verticalmente los chips DRAM mediante electrodos que penetran en cientos de pequeños orificios, y no a través de cables. Samsung ya utilizó esta tecnología el año pasado para su módulo de 64GB, y este año consigue doblar su capacidad, ofreciendo así mayores velocidades y mejor eficiencia a las empresas.

Los módulos TSV DDR4 RDIMM de 128GB están compuestos por un total de 144 chips DDR4, organizados en 36 secciones de 4GB DRAM, cada una de ellas con cuatro chips de 8 gigabits y 20 nanómetros ensamblados mediante tecnología TSV. Como resultado obtenemos módulos con velocidades de 2.400Mbps.

A día de hoy se desconoce el precio de esta RAM, pero imaginamos que  los precios serán prohibitivos para los particulares, pues no va dirigida a ellos sino a las grandes empresas que necesitan potenciar al máximo sus servidores y grandes datacenters.

Samsung ya ha expresado que no se quedarán ahí, y que seguirán mejorando la eficiencia de sus TSV DRAM marcándose como objetivo alcanzar velocidades entre 2.667 y 3.200Mbps.

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